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DMT67M8LPSW-13
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- 制造商编号：
- DMT67M8LPSW-13
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 17.3A（Ta），82A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） Accelerometer，3 Axis，Impact
- 规格说明书：
- DMT67M8LPSW-13说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.3A（Ta），82A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2130 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），62.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Accelerometer，3 Axis，Impact |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.229789 | ￥8.23 |
| 10+ | ￥7.388573 | ￥73.89 |
| 100+ | ￥5.76279 | ￥576.28 |
| 500+ | ￥4.760648 | ￥2380.32 |
| 1000+ | ￥3.758392 | ￥3758.39 |
| 2500+ | ￥3.507828 | ￥8769.57 |
| 5000+ | ￥3.416719 | ￥17083.60 |
