SPD04P10PLGBTMA1
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- 制造商编号:
- SPD04P10PLGBTMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- SIPMOS®
- 描述:
- MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 100 V 4.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
- 规格说明书:
- SPD04P10PLGBTMA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 850 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 380µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 372 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 38W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.845314 | ¥8.85 |
10+ | ¥7.869593 | ¥78.70 |
100+ | ¥6.134841 | ¥613.48 |
500+ | ¥5.067726 | ¥2533.86 |
1000+ | ¥4.445317 | ¥4445.32 |
2500+ | ¥4.445317 | ¥11113.29 |