SIHD5N50D-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIHD5N50D-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 500 V 5.3A(Tc) 104W(Tc) D-Pak
- 规格说明书:
- SIHD5N50D-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 欧姆 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 325 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 104W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FQD6N50CTM | onsemi | ¥11.29000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥9.631817 | ¥9.63 |
10+ | ¥8.604803 | ¥86.05 |
100+ | ¥6.710584 | ¥671.06 |
500+ | ¥5.54355 | ¥2771.78 |
1000+ | ¥4.376424 | ¥4376.42 |