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STGP8M120DF3

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制造商编号:
STGP8M120DF3
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 16 A 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP8M120DF3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 32 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,8A
开关能量 390µJ(开),370µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 32 nC
25°C 时 Td(开/关)值 20ns/126ns
测试条件 600V,8A,33 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 103 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
单价:¥33.968003 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1000+ ¥33.968003 ¥33968.00

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