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SIHP11N80E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHP11N80E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- E
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 800 V 12A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
- 规格说明书：
- SIHP11N80E-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | E |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 440 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 88 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1670 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 179W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥32.394821 | ￥32.39 |
| 10+ | ￥29.081248 | ￥290.81 |
| 100+ | ￥23.828545 | ￥2382.85 |
| 500+ | ￥20.284949 | ￥10142.47 |
| 1000+ | ￥18.329713 | ￥18329.71 |
