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SUP60030E-GE3
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- 制造商编号：
- SUP60030E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 80 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
- 规格说明书：
- SUP60030E-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 141 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7910 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥17.331302 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.64875 | ￥30.65 |
| 10+ | ￥27.50057 | ￥275.01 |
| 100+ | ￥22.530748 | ￥2253.07 |
| 500+ | ￥19.179975 | ￥9589.99 |
| 1000+ | ￥17.331302 | ￥17331.30 |
