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FII30-06D
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- 制造商编号：
- FII30-06D
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
- 详细描述：
- IGBT 阵列 NPT 半桥 600 V 30 A 100 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™
- 规格说明书：
- FII30-06D说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | NPT |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30 A |
| 功率 - 最大值 | 100 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.4V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 600 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 1.1 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 标准包装 | 25 |
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- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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