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APT35GA90B

Microchip photo

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制造商编号:
APT35GA90B
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 8™
描述:
IGBT 900V 63A 290W TO-247
详细描述:
IGBT PT 900 V 63 A 290 W 通孔 TO-247 [B]
规格说明书:
APT35GA90B说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 8™
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 900 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 63 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 3.1V @ 15V,18A
功率 - 最大值 290 W
开关能量 642µJ(开),382µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 84 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/104ns
测试条件 600V,18A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
110+ ¥42.674386 ¥4694.18

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