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CTLDM8120-M832DS TR
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- 制造商编号：
- CTLDM8120-M832DS TR
- 制造商：
- Central美国中央
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CHANNEL
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 860mA（Ta） 1.65W 表面贴装型 TLM832DS
- 规格说明书：
- CTLDM8120-M832DS TR说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Central(美国中央) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 860mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.56nC(4.5V) |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 1.65W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | TLM832DS |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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