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    APTGT50A170D1G

    Microsemi photo

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    制造商编号：
    APTGT50A170D1G
    制造商：
    Microsemi美高森美
    系列：
    -
    描述：
    IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
    详细描述：
    IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1700 V 70 A 310 W 底座安装 D1
    规格说明书：
    APTGT50A170D1G说明书
    在线客服：
    咨询客服
    服务：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microsemi(美高森美)
    系列 -
    包装 散装
    零件状态 Digi-Key 停止提供
    IGBT 类型 沟槽型场截止
    配置 半桥
    电压 - 集射极击穿（最大值） 1700 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 70 A
    功率 - 最大值 310 W
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.4V @ 15V，50A
    电流 - 集电极截止（最大值） 6 mA
    不同 Vce 时输入电容 (Cies) 4.4 nF @ 25 V
    输入 标准
    NTC 热敏电阻 无
    工作温度 -
    安装类型 底座安装
    封装/外壳 D1
    供应商器件封装 D1
    标准包装 1

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    标准包装
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    包装
    散装
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