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SIZF906BDT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF906BDT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（双），肖特基 30V 36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc） 4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
- 规格说明书：
- SIZF906BDT-T1-GE3说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 15A，10V，680µ欧姆 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49nC @ 10V，165nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1630pF @ 15V，5550pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.508882 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.524215 | ￥16.52 |
| 10+ | ￥14.771081 | ￥147.71 |
| 100+ | ￥11.51361 | ￥1151.36 |
| 500+ | ￥9.511308 | ￥4755.65 |
| 1000+ | ￥7.508882 | ￥7508.88 |
| 3000+ | ￥7.508882 | ￥22526.65 |
