SUP60N06-12P-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SUP60N06-12P-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 60 V 60A(Tc) 3.25W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
- 规格说明书:
- SUP60N06-12P-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 55 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1970 pF @ 30 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.25W(Ta),100W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STP60NF06 | STMicroelectronics | ¥12.44000 | 类似 |
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | ¥11.67000 | 类似 |
PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥23.96000 | 类似 |
IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | ¥14.90000 | 类似 |
PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥13.82000 | 类似 |
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- 包装
- 管件
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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