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TP65H070LDG

Transphorm photo

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制造商编号:
TP65H070LDG
制造商:
Transphorm
系列:
TP65H070L
描述:
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 25A(Tc) 96W(Tc) 3-PQFN(8x8)
规格说明书:
TP65H070LDG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Transphorm
系列 TP65H070L
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 600 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 96W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PQFN(8x8)
封装/外壳 3-PowerDFN
标准包装 60

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
60 / PCS
包装
管件
单价:¥80.494261 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥123.937826 ¥123.94
10+ ¥113.923828 ¥1139.24
100+ ¥96.217803 ¥9621.78
500+ ¥85.592223 ¥42796.11
1000+ ¥80.494261 ¥80494.26

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