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STGW10M65DF2
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- 制造商编号：
- STGW10M65DF2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- M
- 描述：
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 20 A 115 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书：
- STGW10M65DF2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | M |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，10A |
| 功率 - 最大值 | 115 W |
| 开关能量 | 120µJ（开），270µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 28 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 19ns/91ns |
| 测试条件 | 400V，10A，22 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 96 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 1,200 |
价格库存
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- 标准包装
- 1,200 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥11.028577 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.669908 | ￥19.67 |
| 10+ | ￥17.702917 | ￥177.03 |
| 100+ | ￥14.228231 | ￥1422.82 |
| 500+ | ￥11.690291 | ￥5845.15 |
| 1000+ | ￥11.028577 | ￥11028.58 |
