STGW10M65DF2
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STGW10M65DF2
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- M
- 描述:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 20 A 115 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书:
- STGW10M65DF2说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | M |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,10A |
功率 - 最大值 | 115 W |
开关能量 | 120µJ(开),270µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 28 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 19ns/91ns |
测试条件 | 400V,10A,22 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 96 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
标准包装 | 1,200 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,200 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥18.032585 | ¥18.03 |
10+ | ¥16.229327 | ¥162.29 |
100+ | ¥13.043874 | ¥1304.39 |
500+ | ¥10.717192 | ¥5358.60 |
1000+ | ¥10.110558 | ¥10110.56 |