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STP160N4LF6
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- 制造商编号：
- STP160N4LF6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 120A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 40 V 120A（Tc） 150W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP160N4LF6说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 181 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8130 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRL1404ZPBF | Infineon Technologies | ¥22.27000 | 类似 |
| SUP40010EL-GE3 | Vishay Siliconix | ¥23.88000 | 类似 |
| IXTP220N04T2 | IXYS | ¥30.57000 | 类似 |
| FDP8441 | onsemi | ¥23.81000 | 类似 |
| IPP100N04S303AKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥9.94627 | 类似 |
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- 50 / PCS
- 包装
- 管件
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