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BSP170PE6327T
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- 制造商编号：
- BSP170PE6327T
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- SIPMOS®
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 60 V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
- 规格说明书：
- BSP170PE6327T说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 410 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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