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DMN63D1LV-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMN63D1LV-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 550mA(Ta) 940mW 表面贴装型 SOT-563
规格说明书:
DMN63D1LV-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 550mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.392nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30pF @ 25V
功率 - 最大值 940mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
标准包装 10,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.360034 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10000+ ¥1.360034 ¥13600.34

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