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APT50GP60BG

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制造商编号:
APT50GP60BG
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 7®
描述:
IGBT 600V 100A 625W TO247
详细描述:
IGBT PT 600 V 100 A 625 W 通孔 TO-247 [B]
规格说明书:
APT50GP60BG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 7®
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 190 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值 625 W
开关能量 465µJ(开),637µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 165 nC
25°C 时 Td(开/关)值 19ns/83ns
测试条件 400V,50A,5 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 [B]
标准包装 1

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型号 品牌 参考价格 说明
APT68GA60B Microchip Technology ¥62.13000 类似

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管件
单价:¥129.960647 总价:¥0.00
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