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SSM6N35FE,LM

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制造商编号:
SSM6N35FE,LM
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 180mA 150mW 表面贴装型 ES6
规格说明书:
SSM6N35FE,LM说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9.5pF @ 3V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 ES6
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.661739 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.916575 ¥3.92
10+ ¥2.940539 ¥29.41
100+ ¥1.665352 ¥166.54
500+ ¥1.102907 ¥551.45
1000+ ¥0.845557 ¥845.56
2000+ ¥0.735272 ¥1470.54
4000+ ¥0.735272 ¥2941.09
8000+ ¥0.661739 ¥5293.91

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