您好,欢迎来到壹方微芯!

IXFN50N120SIC

IXYS photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IXFN50N120SIC
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
详细描述:
底座安装 N 通道 1200 V 47A(Tc) - SOT-227B
规格说明书:
IXFN50N120SIC说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 100 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1900 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥663.169572 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥774.487075 ¥774.49
10+ ¥735.782615 ¥7357.83
100+ ¥663.169572 ¥66316.96

相关产品