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2N6036
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100µA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 750 @ 2A，3V |
| 功率 - 最大值 | 40 W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32 |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
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