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IXTA1R6N100D2-TRL
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- 制造商编号：
- IXTA1R6N100D2-TRL
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Depletion
- 描述：
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tj） 100W（Tc） TO-263（D2Pak）
- 规格说明书：
- IXTA1R6N100D2-TRL说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Depletion |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 645 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥17.349342 | ￥13879.47 |
