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DMN2023UCB4-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN2023UCB4-7
制造商:
Diodes美台
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 24V 6A(Ta) 1.45W 表面贴装型 X1-WLB1818-4
规格说明书:
DMN2023UCB4-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3333pF @ 10V
功率 - 最大值 1.45W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 4-XFBGA,WLBGA
供应商器件封装 X1-WLB1818-4
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥2.287095 ¥6861.28

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