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CSD13383F4
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- 制造商编号：
- CSD13383F4
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- FemtoFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 12 V 2.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
- 规格说明书：
- CSD13383F4说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | FemtoFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 291 pF @ 6 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.985932 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.060463 | ￥5.06 |
| 10+ | ￥3.781049 | ￥37.81 |
| 100+ | ￥2.354794 | ￥235.48 |
| 500+ | ￥1.611291 | ￥805.65 |
| 1000+ | ￥1.239453 | ￥1239.45 |
| 3000+ | ￥1.115503 | ￥3346.51 |
| 6000+ | ￥1.053534 | ￥6321.20 |
| 12000+ | ￥0.985932 | ￥11831.18 |
