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STW56NM60N
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- 制造商编号：
- STW56NM60N
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 45A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 45A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- STW56NM60N说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4800 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFX80N60P3 | IXYS | ¥138.69000 | 类似 |
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | ¥150.14000 | 类似 |
| FCH070N60E | onsemi | ¥61.82000 | 类似 |
| FCH47N60N | onsemi | ¥81.63000 | 类似 |
| FCA47N60 | onsemi | ¥76.49000 | 类似 |
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- 包装
- 管件
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