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SSM6N58NU,LF

Toshiba photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SSM6N58NU,LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 4A 1W 表面贴装型 6-UDFN(2x2)
规格说明书:
SSM6N58NU,LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 84毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 129pF @ 15V
功率 - 最大值 1W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.237352 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.587987 ¥4.59
10+ ¥3.752451 ¥37.52
100+ ¥2.554353 ¥255.44
500+ ¥1.915889 ¥957.94
1000+ ¥1.436923 ¥1436.92
3000+ ¥1.317175 ¥3951.53
6000+ ¥1.237352 ¥7424.11

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