STP26N60DM6
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- 制造商编号:
- STP26N60DM6
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- MDmesh™ DM6
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 130W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- STP26N60DM6说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | MDmesh™ DM6 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 195 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.75V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 940 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 130W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 350 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥60.21000 | 类似 |
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | ¥30.57000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 350 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥24.082395 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥40.098263 | ¥40.10 |
10+ | ¥36.026269 | ¥360.26 |
100+ | ¥29.518414 | ¥2951.84 |
500+ | ¥25.128344 | ¥12564.17 |
1000+ | ¥24.082395 | ¥24082.40 |