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FDD6N20TM
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- 制造商编号：
- FDD6N20TM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- UniFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- FDD6N20TM说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 230 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RND030N20TL | Rohm Semiconductor | ¥6.22000 | 类似 |
| IRFR220TRRPBF | Vishay Siliconix | ¥12.67000 | 类似 |
| IRFR220PBF | Vishay Siliconix | ¥7.53000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.370405 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.920184 | ￥7.92 |
| 10+ | ￥6.990153 | ￥69.90 |
| 100+ | ￥5.359615 | ￥535.96 |
| 500+ | ￥4.237062 | ￥2118.53 |
| 1000+ | ￥3.38964 | ￥3389.64 |
| 2500+ | ￥3.370405 | ￥8426.01 |
