IXTP8N70X2M
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- 制造商编号:
- IXTP8N70X2M
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- Ultra X2
- 描述:
- MOSFET N-CH 700V 4A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 700 V 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220 隔离的标片
- 规格说明书:
- IXTP8N70X2M说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | Ultra X2 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 700 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 550 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 800 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 32W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥15.44000 | 类似 |
STP12N65M5 | STMicroelectronics | ¥23.50000 | 类似 |
STP13NK60Z | STMicroelectronics | ¥22.50000 | 类似 |
STP11N60DM2 | STMicroelectronics | ¥14.82000 | 类似 |
IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥19.05000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥16.342349 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥31.792638 | ¥31.79 |
10+ | ¥28.521366 | ¥285.21 |
100+ | ¥23.369143 | ¥2336.91 |
500+ | ¥19.89401 | ¥9947.01 |
1000+ | ¥16.778133 | ¥16778.13 |
2000+ | ¥16.342349 | ¥32684.70 |