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    PMV30UN,215

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    制造商编号：
    PMV30UN,215
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 20 V 5.7A（Tc） 1.9W（Tc） SOT-23（TO-236AB）
    规格说明书：
    PMV30UN,215说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 20 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.7A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 36 毫欧 @ 2A，4.5V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 700mV @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.4 nC @ 4.5 V
    Vgs（最大值） ±8V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 460 pF @ 20 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 1.9W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 SOT-23（TO-236AB）
    封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
    标准包装 3,000

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    型号 品牌 参考价格 说明
    RUR040N02TL Rohm Semiconductor ¥4.76000 类似

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    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
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    阶梯 单价(含税价) 总价
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