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NTMYS4D1N06CLTWG

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制造商编号:
NTMYS4D1N06CLTWG
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) LFPAK4(5x6)
规格说明书:
NTMYS4D1N06CLTWG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),79W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK4(5x6)
封装/外壳 SOT-1023,4-LFPAK
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥30.689507 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥30.689507 ¥92068.52

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