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FQH8N100C

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制造商编号:
FQH8N100C
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
详细描述:
通孔 N 通道 1000 V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-247-3
规格说明书:
FQH8N100C说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 管件
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.45 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 70 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3220 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 225W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 450

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STW7N95K3 STMicroelectronics ¥53.37000 类似
APT8M100B Microchip Technology ¥36.09000 类似

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标准包装
450 / PCS
包装
管件
单价:¥33.446664 总价:¥0.00
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450+ ¥33.446664 ¥15051.00

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