2N7000
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 400mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
标准包装 | 10,000 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 散装
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥4.023706 | ¥4.02 |
10+ | ¥3.238342 | ¥32.38 |
100+ | ¥2.203349 | ¥220.33 |
500+ | ¥1.652341 | ¥826.17 |
1000+ | ¥1.239256 | ¥1239.26 |
2000+ | ¥1.135962 | ¥2271.92 |
5000+ | ¥1.095291 | ¥5476.45 |