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FCP190N60
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- 制造商编号：
- FCP190N60
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- SuperFET® II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- FCP190N60说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | SuperFET® II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 199 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 74 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2950 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP18N65M5 | STMicroelectronics | ¥24.19000 | 类似 |
| STP28NM60ND | STMicroelectronics | ¥53.91000 | 类似 |
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥35.40000 | 类似 |
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥39.47000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥17.010628 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.360973 | ￥28.36 |
| 10+ | ￥25.446544 | ￥254.47 |
| 100+ | ￥20.850102 | ￥2085.01 |
| 500+ | ￥17.749294 | ￥8874.65 |
| 1000+ | ￥17.010628 | ￥17010.63 |
