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IXTY02N50D

IXYS photo

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制造商编号:
IXTY02N50D
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
详细描述:
表面贴装型 N 通道 500 V 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
IXTY02N50D说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 欧姆 @ 50mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 120 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 70

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
70 / PCS
包装
管件
单价:¥10.762175 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥23.30051 ¥23.30
10+ ¥20.910778 ¥209.11
100+ ¥16.810187 ¥1681.02
500+ ¥13.811408 ¥6905.70
1000+ ¥11.443746 ¥11443.75
2000+ ¥10.762175 ¥21524.35

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