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IRFH4253DTRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRFH4253DTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 25V 64A,145A 31W,50W 表面贴装型 PQFN(5x6)
规格说明书:
IRFH4253DTRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 64A,145A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1314pF @ 13V
功率 - 最大值 31W,50W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PQFN(5x6)
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥16.207706 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥28.646945 ¥28.65
10+ ¥25.771061 ¥257.71
100+ ¥20.713706 ¥2071.37
500+ ¥17.018175 ¥8509.09
1000+ ¥16.207706 ¥16207.71
4000+ ¥16.207706 ¥64830.82

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