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IPAN60R600P7SXKSA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPAN60R600P7SXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ P7
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 6A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
- 规格说明书：
- IPAN60R600P7SXKSA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 80µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 363 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 21W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥6.703087 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.694675 | ￥12.69 |
| 10+ | ￥11.371743 | ￥113.72 |
| 100+ | ￥8.864887 | ￥886.49 |
| 500+ | ￥7.323174 | ￥3661.59 |
| 1000+ | ￥6.703087 | ￥6703.09 |
