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DF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon photo

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制造商编号:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
MOSFET MODULE 1200V 25A
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 25A 20mW 底座安装 AG-EASY1BM-2
规格说明书:
DF23MR12W1M1B11BOMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 25A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 620nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2000pF @ 800V
功率 - 最大值 20mW
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 AG-EASY1BM-2
标准包装 24

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标准包装
24 / PCS
包装
托盘
单价:¥0 总价:¥0.00
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