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DTB123YUT106
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- 制造商编号：
- DTB123YUT106
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
- 详细描述：
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3
- 规格说明书：
- DTB123YUT106说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200 MHz |
| 功率 - 最大值 | 200 mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RN2315TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.38000 | 类似 |
| DDTA123YUA-7-F | Diodes Incorporated | ¥2.00000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.617314 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.675022 | ￥4.68 |
| 10+ | ￥3.48513 | ￥34.85 |
| 100+ | ￥1.976565 | ￥197.66 |
| 500+ | ￥1.308708 | ￥654.35 |
| 1000+ | ￥1.003352 | ￥1003.35 |
| 3000+ | ￥0.872476 | ￥2617.43 |
| 6000+ | ￥0.785217 | ￥4711.30 |
| 15000+ | ￥0.697971 | ￥10469.57 |
| 30000+ | ￥0.654354 | ￥19630.62 |
| 75000+ | ￥0.617314 | ￥46298.55 |
