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BUZ31 E3046

Infineon photo

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制造商编号:
BUZ31 E3046
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
SIPMOS®
描述:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO262-3
规格说明书:
BUZ31 E3046说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 SIPMOS®
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 9A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1120 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 95W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO262-3
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装 500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STP19NF20 STMicroelectronics ¥13.13000 类似
PHP20NQ20T,127 Nexperia USA Inc. ¥17.89000 类似

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标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
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