DMT6008LFG-13
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- 制造商编号:
- DMT6008LFG-13
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 13A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),41W(Tc) PowerDI3333-8
- 规格说明书:
- DMT6008LFG-13说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Ta),60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 50.4 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2713 pF @ 30 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.2W(Ta),41W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥12.59000 | 类似 |
AON6262E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥9.06000 | 类似 |
TPH7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥11.83000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥8.662936 | ¥8.66 |
10+ | ¥7.73851 | ¥77.39 |
100+ | ¥6.035103 | ¥603.51 |
500+ | ¥4.985611 | ¥2492.81 |
1000+ | ¥3.936005 | ¥3936.01 |
3000+ | ¥3.673643 | ¥11020.93 |
6000+ | ¥3.578226 | ¥21469.36 |