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NTMFD4C88NT3G

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制造商编号:
NTMFD4C88NT3G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 11.7A,14.2A 1.1W 表面贴装型 8-DFN(5x6)
规格说明书:
NTMFD4C88NT3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.7A,14.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1252pF @ 15V
功率 - 最大值 1.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN(5x6)
标准包装 5,000

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型号 品牌 参考价格 说明
FDPC5018SG onsemi ¥15.90000 类似

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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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