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FDC633N

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制造商编号:
FDC633N
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 5.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT™-6
规格说明书:
FDC633N说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 42 毫欧 @ 5.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 538 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT™-6
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor ¥5.45000 类似
RSQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.61000 类似
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor ¥5.30000 类似
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.15000 类似

价格库存

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货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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