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NTB082N65S3F

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制造商编号:
NTB082N65S3F
制造商:
ON安森美
系列:
SuperFET® III
描述:
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 40A(Tc) 313W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
NTB082N65S3F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 SuperFET® III
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 82 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3410 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 313W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

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型号 品牌 参考价格 说明
STB42N65M5 STMicroelectronics ¥93.23000 类似

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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥40.316112 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥67.128844 ¥67.13
10+ ¥60.309031 ¥603.09
100+ ¥49.415608 ¥4941.56
800+ ¥42.06697 ¥33653.58
1600+ ¥40.316112 ¥64505.78

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