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RFD12N06RLE

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制造商编号:
RFD12N06RLE
制造商:
ON安森美
系列:
UltraFET™
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 60 V 18A(Tc) 40W(Tc) I-PAK
规格说明书:
RFD12N06RLE说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 UltraFET™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 63 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 485 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 75

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型号 品牌 参考价格 说明
IRLU024NPBF Infineon Technologies ¥7.76000 类似

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