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    PHM30NQ10T,518

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    制造商编号：
    PHM30NQ10T,518
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 100 V 37.6A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（5x6）
    规格说明书：
    PHM30NQ10T,518说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR）
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 100 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37.6A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 毫欧 @ 18A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 53.7 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3600 pF @ 25 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 8-HVSON（5x6）
    封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘
    标准包装 2,500

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    型号 品牌 参考价格 说明
    BSC160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies ¥12.52000 类似

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    标准包装
    2,500 / PCS
    包装
    卷带（TR）
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