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STP10NM60N
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- 制造商编号：
- STP10NM60N
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 70W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP10NM60N说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SIHP11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | ¥28.41000 | 类似 |
| FCP7N60 | onsemi | ¥18.12000 | 类似 |
| IXTP8N70X2M | IXYS | ¥25.57000 | 类似 |
| IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥19.05000 | 类似 |
| IXTP8N70X2 | IXYS | ¥32.10000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥18.885598 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.419631 | ￥31.42 |
| 10+ | ￥28.254044 | ￥282.54 |
| 100+ | ￥23.148572 | ￥2314.86 |
| 500+ | ￥19.705716 | ￥9852.86 |
| 1000+ | ￥18.885598 | ￥18885.60 |
