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APTM10DHM09TG
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- 制造商编号：
- APTM10DHM09TG
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 100V 139A 390W 底座安装 SP4
- 规格说明书：
- APTM10DHM09TG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 139A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 69.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 350nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9875pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 390W |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP4 |
| 供应商器件封装 | SP4 |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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