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RGTVX2TS65GC11

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
RGTVX2TS65GC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 111 A 319 W 通孔 TO-247N
规格说明书:
RGTVX2TS65GC11说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
封装/外壳 TO-247-3
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 111 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.9V @ 15V,60A
功率 - 最大值 319 W
开关能量 2.08mJ(开),1.15mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 123 nC
25°C 时 Td(开/关)值 49ns/150ns
测试条件 400V,60A,10 欧姆,15V
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247N
标准包装 450

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
450 / PCS
包装
管件
单价:¥29.277004 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥54.807177 ¥54.81
10+ ¥49.244397 ¥492.44
100+ ¥40.343205 ¥4034.32
500+ ¥34.343858 ¥17171.93
1000+ ¥29.277004 ¥29277.00

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