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IKB30N65ES5ATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IKB30N65ES5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
TrenchStop™ 5
描述:
IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 62 A 188 W 表面贴装型 PG-TO263-3
规格说明书:
IKB30N65ES5ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 TrenchStop™ 5
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 62 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.7V @ 15V,30A
功率 - 最大值 188 W
开关能量 560µJ(开),320µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 70 nC
25°C 时 Td(开/关)值 17ns/124ns
测试条件 400V,30A,13 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 75 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥25.532821 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1000+ ¥25.532821 ¥25532.82

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